金亨科普|溅射沉积技术的基本原理
溅射沉积就是用荷能粒子（通常是气体正离子）轰击耙材，使物体表面原子从其中逸出，沉积在附近的底材表面上的整个过程。对溅射沉积现象产生的机理，人们比较认同“碰撞理论”，入射离子与固体表面原子发生碰撞后，将其一部分能量传递给原子，该原子的动能超过与其他原子形成的势垒（对金属而言为5-10eV）时，原子就会从晶格点阵中被碰出，产生“离位原子”，离位原子又与其他附近原子发生反复碰撞——联级碰撞。当原子动能超过其与其他原子的结合能（1-6eV）时，原子离开物体表面进入真空室，沉积于设置在真空室的基体表面上，形成薄膜。
真空溅射技术制备的薄膜有如下特点：
（1）膜厚可控性和重复性好
由于真空溅射镀膜的放电电流和靶电流可以分别控制，因此，通过控制靶电流可以控制膜厚，并且溅射镀膜可以在较大表面上获得厚度均匀的膜。
（2）薄膜与基片的附着力强
溅射原子能量比蒸发原子能量高1-2个数量级，高能量的溅射原子沉积在基片上进行的能量转化比蒸发原子高得多，产生较高的热能，增强了溅射原子与基片的附着力，并且 部分高能量的溅射原子产生不同程度的注入现象，在基片上形成一层入射原子与基片原子相互融合的伪扩散层，使得薄膜与基片的附着力加强。
（3）可制备特殊材料的薄膜
几乎所有的固体都可以用溅射法制成薄膜。靶可以是金属、半导体、电介质、多元素的化合物，只要是固体，甚至粒状、粉状的物质都可以作为溅射靶，并且不受熔点的限制。溅射法制膜还可以使不同的材料同时溅射制备混合膜、化合膜，若使不同的材料依次溅射可以制备多层膜。
（4）纯度高
由于溅射法制膜装置中没有蒸发法制膜装置中的坩埚构件，所以溅射膜层里不会混入坩埚加热材料的成分。
溅射膜的缺点是成膜速度比蒸发镀膜低、基片升温高、易受杂质气体影响、装置结构较复杂。近年来，由于高频溅射、磁控技术的新发展，溅射膜技术已得到日益广泛的应用。
